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创新的西门康智能igbt模块在技术上得到了认可
点击次数:408 发布时间:2017-11-23
  它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位.若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。

  西门康智能igbt模块主要技术指标,IGBT阻断电压VCE=3300V,驱动能力±15A5W,zui大150kHz支持串并联模式.IGBT阻断电压VCE=3300V,驱动能力:±20A6W,zui大100kHz.支持串并联模式.IGBT阻断电压VCE=6500V,驱动能力:±20A6W,zui大100kHz,支持串并联模式,IGBT阻断电压VCE=3300V,驱动能力:±32A10W,zui大100kHz,支持串并联模式.
 
  西门康智能igbt模块具有完善的保护电路的模块化驱动产品。目前国内拥有自主知识产权的大功率IGBT驱动模块研发企业仅有云南领跑科技和深圳青铜剑等,所采用的隔离方式均为变压器隔离,均具备IGBT过流保护、驱动欠压保护等功能,产品主要以单通道和双通道为主。云南领跑科技的高端大功率IGBT驱动模块采用了先进的无磁芯变压器隔离技术,具有传播延迟时间短的优势和极强的抗干扰性能,即使处于温度和电磁干扰条件十分恶劣的环境中,依然能稳定的工作.
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